Tæknilýsing

• röð
  -
• pakka
  Cut Tape (CT)Tape & Box (TB)
• stöðu hluta
  Active
• fet gerð
  N-Channel
• tækni
  MOSFET (Metal Oxide)
• tæma til uppspretta spennu (vdss)
  100 V
• straumur - samfellt frárennsli (id) @ 25°c
  320mA (Ta)
• drifspenna (hámark rds á, lágmark rds á)
  10V
• rds á (max) @ id, vgs
  4Ohm @ 1A, 10V
• vgs(th) (max) @ id
  2.4V @ 1mA
• hliðargjald (qg) (max) @ vgs
  -
• vgs (hámark)
  ±20V
• inntaksrýmd (ciss) (max) @ vds
  75 pF @ 25 V
• fet lögun
  -
• aflnotkun (hámark)
  700mW (Ta)
• Vinnuhitastig
  -55°C ~ 150°C (TJ)
• uppsetningargerð
  Through Hole
• birgir tæki pakki
  E-Line (TO-92 compatible)
• pakki / hulstur
  E-Line-3