-
-
Lágt verð í gegnum Factory-Direct
Vinna beint með raftækjaverksmiðjunni til að skera út milliliðinn. Nýtt upprunalegt með lágu og afslætti verði
-
Öruggur og gæðaáreiðanleiki
Gæðatryggingakerfi fyrir frábær vörugæði. Á réttum tíma, í hvert skipti, útvegun gæðaíhluta.
-
Yfir 15 milljónir birgða
100+ frægasti alþjóðlegur framleiðandi, yfir 15 milljónir birgða. Birgðir í boði sem styðja að kaupa beint með afsláttarverði.
-
Viðskiptavinavæn þjónusta
Einstaklingslausn sérsniðin að þínum einstöku þörfum. Stuðningur á vefsíðu á 12 tungumálum, meiri þægindi og hröð þjónusta.
IPG20N06S2L50ATMA1
Framleiðandi
Vöruflokkur
Lýsing
MOSFET 2N-CH 55V 20A 8TDSON
RFQ tölvupóstur: [email protected] or Fyrirspurnir á netinu
Tæknilýsing
-
röðOptiMOS™
-
pakkaTape & Reel (TR)
-
stöðu hlutaActive
-
fet gerð2 N-Channel (Dual)
-
fet lögunLogic Level Gate
-
tæma til uppspretta spennu (vdss)55V
-
straumur - samfellt frárennsli (id) @ 25°c20A
-
rds á (max) @ id, vgs50mOhm @ 15A, 10V
-
vgs(th) (max) @ id2V @ 19µA
-
hliðargjald (qg) (max) @ vgs17nC @ 10V
-
inntaksrýmd (ciss) (max) @ vds560pF @ 25V
-
afl - hámark51W
-
Vinnuhitastig-55°C ~ 175°C (TJ)
-
uppsetningargerðSurface Mount
-
pakki / hulstur8-PowerVDFN
-
birgir tæki pakkiPG-TDSON-8-4
