Tæknilýsing

• röð
  *
• pakka
  Tube
• stöðu hluta
  Active
• fet gerð
  N-Channel
• tækni
  MOSFET (Metal Oxide)
• tæma til uppspretta spennu (vdss)
  1000 V
• straumur - samfellt frárennsli (id) @ 25°c
  13A (Tc)
• drifspenna (hámark rds á, lágmark rds á)
  -
• rds á (max) @ id, vgs
  860mOhm @ 500mA, 10V
• vgs(th) (max) @ id
  4V @ 1mA
• hliðargjald (qg) (max) @ vgs
  275 nC @ 10 V
• vgs (hámark)
  -
• inntaksrýmd (ciss) (max) @ vds
  4440 pF @ 25 V
• fet lögun
  -
• aflnotkun (hámark)
  -
• Vinnuhitastig
  -
• uppsetningargerð
  Through Hole
• birgir tæki pakki
  TO-247 [B]
• pakki / hulstur
  TO-247-3