Tæknilýsing

• röð
  -
• pakka
  Bag
• stöðu hluta
  Active
• fet gerð
  N-Channel
• tækni
  MOSFET (Metal Oxide)
• tæma til uppspretta spennu (vdss)
  100 V
• straumur - samfellt frárennsli (id) @ 25°c
  20A
• drifspenna (hámark rds á, lágmark rds á)
  5V
• rds á (max) @ id, vgs
  120mOhm @ 10A, 5V
• vgs(th) (max) @ id
  2.5V @ 250µA
• hliðargjald (qg) (max) @ vgs
  30 nC @ 5 V
• vgs (hámark)
  ±15V
• inntaksrýmd (ciss) (max) @ vds
  1500 pF @ 25 V
• fet lögun
  Logic Level Gate, 4V Drive
• aflnotkun (hámark)
  105W (Tc)
• Vinnuhitastig
  175°C (TJ)
• uppsetningargerð
  Through Hole
• birgir tæki pakki
  TO-220
• pakki / hulstur
  TO-220-3