NXH50C120L2C2ESG

NXH50C120L2C2ESG

Framleiðandi

Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor

Vöruflokkur

smári - igbts - einingar

Lýsing

IGBT MODULE, CIB 1200 V, 50 A IG

RFQ tölvupóstur: [email protected] or Fyrirspurnir á netinu

Tæknilýsing

  • röð
    -
  • pakka
    Tube
  • stöðu hluta
    Active
  • igbt gerð
    -
  • uppsetningu
    Three Phase Inverter with Brake
  • spenna - sundurliðun safnara emitter (hámark)
    1200 V
  • straumur - safnari (ic) (hámark)
    50 A
  • afl - hámark
    20 mW
  • vce(on) (max) @ vge, ic
    2.4V @ 15V, 50A
  • straumur - söfnunarstöðvun (hámark)
    250 µA
  • inntaksrýmd (cies) @ vce
    11.897 nF @ 20 V
  • inntak
    Three Phase Bridge Rectifier
  • ntc hitari
    Yes
  • Vinnuhitastig
    -40°C ~ 150°C (TJ)
  • uppsetningargerð
    Through Hole
  • pakki / hulstur
    26-PowerDIP Module (1.199", 47.20mm)
  • birgir tæki pakki
    26-DIP

NXH50C120L2C2ESG Óska eftir tilvitnun

Á lager 1767
Magn:
Einingarverð (viðmiðunarverð):
59.50000
Ásett verð:
Samtals:59.50000