Tæknilýsing

• röð
  -
• pakka
  Bulk
• stöðu hluta
  Active
• fet gerð
  N-Channel
• tækni
  MOSFET (Metal Oxide)
• tæma til uppspretta spennu (vdss)
  50 V
• straumur - samfellt frárennsli (id) @ 25°c
  100mA (Ta)
• drifspenna (hámark rds á, lágmark rds á)
  -
• rds á (max) @ id, vgs
  7.5Ohm @ 50mA, 10V
• vgs(th) (max) @ id
  2.4V @ 100µA
• hliðargjald (qg) (max) @ vgs
  1.4 nC @ 10 V
• vgs (hámark)
  ±20V
• inntaksrýmd (ciss) (max) @ vds
  6.2 pF @ 10 V
• fet lögun
  -
• aflnotkun (hámark)
  150mW (Ta)
• Vinnuhitastig
  150°C
• uppsetningargerð
  Surface Mount
• birgir tæki pakki
  MCP
• pakki / hulstur
  SC-70, SOT-323