Tæknilýsing

• röð
  -
• pakka
  Bulk
• stöðu hluta
  Obsolete
• fet gerð
  P-Channel
• tækni
  MOSFET (Metal Oxide)
• tæma til uppspretta spennu (vdss)
  20 V
• straumur - samfellt frárennsli (id) @ 25°c
  2.5A (Ta)
• drifspenna (hámark rds á, lágmark rds á)
  1.8V, 4.5V
• rds á (max) @ id, vgs
  137mOhm @ 1A, 4.5V
• vgs(th) (max) @ id
  -
• hliðargjald (qg) (max) @ vgs
  3.3 nC @ 4.5 V
• vgs (hámark)
  ±10V
• inntaksrýmd (ciss) (max) @ vds
  250 pF @ 10 V
• fet lögun
  -
• aflnotkun (hámark)
  1W (Ta)
• Vinnuhitastig
  150°C (TJ)
• uppsetningargerð
  Surface Mount
• birgir tæki pakki
  3-CPH
• pakki / hulstur
  TO-236-3, SC-59, SOT-23-3