Tæknilýsing

• röð
  NexFET™
• pakka
  Bulk
• stöðu hluta
  Active
• fet gerð
  N-Channel
• tækni
  MOSFET (Metal Oxide)
• tæma til uppspretta spennu (vdss)
  25 V
• straumur - samfellt frárennsli (id) @ 25°c
  22A (Ta), 113A (Tc)
• drifspenna (hámark rds á, lágmark rds á)
  -
• rds á (max) @ id, vgs
  4.5mOhm @ 25A, 10V
• vgs(th) (max) @ id
  2.1V @ 250µA
• hliðargjald (qg) (max) @ vgs
  8.9 nC @ 4.5 V
• vgs (hámark)
  +16V, -12V
• inntaksrýmd (ciss) (max) @ vds
  1300 pF @ 12.5 V
• fet lögun
  -
• aflnotkun (hámark)
  3.1W (Ta)
• Vinnuhitastig
  -55°C ~ 150°C (TJ)
• uppsetningargerð
  Surface Mount
• birgir tæki pakki
  8-VSON-CLIP (5x6)
• pakki / hulstur
  8-PowerTDFN