FCH190N65F-F155

FCH190N65F-F155

Framleiðandi

Rochester Electronics

Vöruflokkur

smári - fets, mosfets - stakir

Lýsing

MOSFET N-CH 650V 20.6A TO247

Tæknilýsing

  • röð
    FRFET®, SuperFET® II
  • pakka
    Bulk
  • stöðu hluta
    Active
  • fet gerð
    N-Channel
  • tækni
    MOSFET (Metal Oxide)
  • tæma til uppspretta spennu (vdss)
    650 V
  • straumur - samfellt frárennsli (id) @ 25°c
    20.6A (Tc)
  • drifspenna (hámark rds á, lágmark rds á)
    10V
  • rds á (max) @ id, vgs
    190mOhm @ 10A, 10V
  • vgs(th) (max) @ id
    5V @ 2mA
  • hliðargjald (qg) (max) @ vgs
    78 nC @ 10 V
  • vgs (hámark)
    ±20V
  • inntaksrýmd (ciss) (max) @ vds
    3.225 pF @ 100 V
  • fet lögun
    -
  • aflnotkun (hámark)
    208W (Tc)
  • Vinnuhitastig
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • uppsetningargerð
    Through Hole
  • birgir tæki pakki
    TO-247 Long Leads
  • pakki / hulstur
    TO-247-3

FCH190N65F-F155 Óska eftir tilvitnun

Á lager 11456
Magn:
Einingarverð (viðmiðunarverð):
1.89000
Ásett verð:
Samtals:1.89000

Gagnablað