IPI80N06S207AKSA1

IPI80N06S207AKSA1

Framleiðandi

Rochester Electronics

Vöruflokkur

smári - fets, mosfets - stakir

Lýsing

MOSFET N-CH 55V 80A TO262-3

Tæknilýsing

  • röð
    OptiMOS™
  • pakka
    Bulk
  • stöðu hluta
    Active
  • fet gerð
    N-Channel
  • tækni
    MOSFET (Metal Oxide)
  • tæma til uppspretta spennu (vdss)
    55 V
  • straumur - samfellt frárennsli (id) @ 25°c
    80A (Tc)
  • drifspenna (hámark rds á, lágmark rds á)
    10V
  • rds á (max) @ id, vgs
    6.6mOhm @ 68A, 10V
  • vgs(th) (max) @ id
    4V @ 180µA
  • hliðargjald (qg) (max) @ vgs
    110 nC @ 10 V
  • vgs (hámark)
    ±20V
  • inntaksrýmd (ciss) (max) @ vds
    3.4 pF @ 25 V
  • fet lögun
    -
  • aflnotkun (hámark)
    250W (Tc)
  • Vinnuhitastig
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • uppsetningargerð
    Through Hole
  • birgir tæki pakki
    PG-TO262-3
  • pakki / hulstur
    TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

IPI80N06S207AKSA1 Óska eftir tilvitnun

Á lager 27251
Magn:
Einingarverð (viðmiðunarverð):
0.76000
Ásett verð:
Samtals:0.76000

Gagnablað