IPP027N08N5AKSA1

IPP027N08N5AKSA1

Framleiðandi

Rochester Electronics

Vöruflokkur

smári - fets, mosfets - stakir

Lýsing

MOSFET N-CH 80V 120A TO220-3

Tæknilýsing

  • röð
    OptiMOS™
  • pakka
    Bulk
  • stöðu hluta
    Active
  • fet gerð
    N-Channel
  • tækni
    MOSFET (Metal Oxide)
  • tæma til uppspretta spennu (vdss)
    80 V
  • straumur - samfellt frárennsli (id) @ 25°c
    120A (Tc)
  • drifspenna (hámark rds á, lágmark rds á)
    6V, 10V
  • rds á (max) @ id, vgs
    2.7mOhm @ 100A, 10V
  • vgs(th) (max) @ id
    3.8V @ 154µA
  • hliðargjald (qg) (max) @ vgs
    123 nC @ 10 V
  • vgs (hámark)
    ±20V
  • inntaksrýmd (ciss) (max) @ vds
    8.97 pF @ 40 V
  • fet lögun
    -
  • aflnotkun (hámark)
    214W (Tc)
  • Vinnuhitastig
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • uppsetningargerð
    Through Hole
  • birgir tæki pakki
    PG-TO220-3
  • pakki / hulstur
    TO-220-3

IPP027N08N5AKSA1 Óska eftir tilvitnun

Á lager 11208
Magn:
Einingarverð (viðmiðunarverð):
1.94000
Ásett verð:
Samtals:1.94000

Gagnablað