Tæknilýsing

• röð
  HEXFET®
• pakka
  Tube
• stöðu hluta
  Active
• fet gerð
  2 N-Channel (Dual)
• fet lögun
  Logic Level Gate
• tæma til uppspretta spennu (vdss)
  20V
• straumur - samfellt frárennsli (id) @ 25°c
  5.2A
• rds á (max) @ id, vgs
  50mOhm @ 2.6A, 4.5V
• vgs(th) (max) @ id
  700mV @ 250µA
• hliðargjald (qg) (max) @ vgs
  20nC @ 4.5V
• inntaksrýmd (ciss) (max) @ vds
  660pF @ 15V
• afl - hámark
  2W
• Vinnuhitastig
  -55°C ~ 150°C (TJ)
• uppsetningargerð
  Surface Mount
• pakki / hulstur
  8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
• birgir tæki pakki
  8-SO