Tæknilýsing

• röð
  HEXFET®
• pakka
  Bulk
• stöðu hluta
  Active
• fet gerð
  N-Channel
• tækni
  MOSFET (Metal Oxide)
• tæma til uppspretta spennu (vdss)
  55 V
• straumur - samfellt frárennsli (id) @ 25°c
  51A (Tc)
• drifspenna (hámark rds á, lágmark rds á)
  -
• rds á (max) @ id, vgs
  13.5mOhm @ 31A, 10V
• vgs(th) (max) @ id
  3V @ 250µA
• hliðargjald (qg) (max) @ vgs
  36 nC @ 5 V
• vgs (hámark)
  ±16V
• inntaksrýmd (ciss) (max) @ vds
  1620 pF @ 25 V
• fet lögun
  -
• aflnotkun (hámark)
  80W (Tc)
• Vinnuhitastig
  -55°C ~ 175°C (TJ)
• uppsetningargerð
  Surface Mount
• birgir tæki pakki
  PG-TO263-3-2
• pakki / hulstur
  TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB