Tæknilýsing

• röð
  TrenchMOS™
• pakka
  Bulk
• stöðu hluta
  Active
• fet gerð
  N-Channel
• tækni
  MOSFET (Metal Oxide)
• tæma til uppspretta spennu (vdss)
  55 V
• straumur - samfellt frárennsli (id) @ 25°c
  4.9A (Ta), 10.7A (Tc)
• drifspenna (hámark rds á, lágmark rds á)
  -
• rds á (max) @ id, vgs
  40mOhm @ 5A, 5V
• vgs(th) (max) @ id
  2V @ 1mA
• hliðargjald (qg) (max) @ vgs
  17 nC @ 5 V
• vgs (hámark)
  ±13V
• inntaksrýmd (ciss) (max) @ vds
  1400 pF @ 25 V
• fet lögun
  -
• aflnotkun (hámark)
  1.8W (Ta), 8.3W (Tc)
• Vinnuhitastig
  -55°C ~ 150°C (TJ)
• uppsetningargerð
  Surface Mount
• birgir tæki pakki
  SC-73
• pakki / hulstur
  TO-261-4, TO-261AA