Tæknilýsing

• röð
  -
• pakka
  Bulk
• stöðu hluta
  Obsolete
• fet gerð
  N-Channel
• tækni
  MOSFET (Metal Oxide)
• tæma til uppspretta spennu (vdss)
  30 V
• straumur - samfellt frárennsli (id) @ 25°c
  14A (Ta)
• drifspenna (hámark rds á, lágmark rds á)
  -
• rds á (max) @ id, vgs
  11.6mOhm @ 7A, 10V
• vgs(th) (max) @ id
  -
• hliðargjald (qg) (max) @ vgs
  5.7 nC @ 4.5 V
• vgs (hámark)
  -
• inntaksrýmd (ciss) (max) @ vds
  1.05 pF @ 10 V
• fet lögun
  -
• aflnotkun (hámark)
  10W (Tc)
• Vinnuhitastig
  150°C (TJ)
• uppsetningargerð
  Surface Mount
• birgir tæki pakki
  8-HWSON (3.3x3.3)
• pakki / hulstur
  8-PowerWDFN