Tæknilýsing

• röð
  -
• pakka
  Bulk
• stöðu hluta
  Active
• fet gerð
  P-Channel
• tækni
  MOSFET (Metal Oxide)
• tæma til uppspretta spennu (vdss)
  15 V
• straumur - samfellt frárennsli (id) @ 25°c
  1.27A (Ta)
• drifspenna (hámark rds á, lágmark rds á)
  2.7V, 10V
• rds á (max) @ id, vgs
  180mOhm @ 1.5A, 10V
• vgs(th) (max) @ id
  1.5V @ 250µA
• hliðargjald (qg) (max) @ vgs
  5.45 nC @ 10 V
• vgs (hámark)
  +2V, -15V
• inntaksrýmd (ciss) (max) @ vds
  -
• fet lögun
  -
• aflnotkun (hámark)
  504mW (Ta)
• Vinnuhitastig
  -40°C ~ 150°C (TJ)
• uppsetningargerð
  Surface Mount
• birgir tæki pakki
  8-TSSOP
• pakki / hulstur
  8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)