R6018JNXC7G

R6018JNXC7G

Framleiðandi

ROHM Semiconductor

Vöruflokkur

smári - fets, mosfets - stakir

Lýsing

MOSFET N-CH 600V 18A TO220FM

RFQ tölvupóstur: [email protected] or Fyrirspurnir á netinu

Tæknilýsing

  • röð
    -
  • pakka
    Tube
  • stöðu hluta
    Active
  • fet gerð
    N-Channel
  • tækni
    MOSFET (Metal Oxide)
  • tæma til uppspretta spennu (vdss)
    600 V
  • straumur - samfellt frárennsli (id) @ 25°c
    18A (Tc)
  • drifspenna (hámark rds á, lágmark rds á)
    15V
  • rds á (max) @ id, vgs
    286mOhm @ 9A, 15V
  • vgs(th) (max) @ id
    7V @ 4.2mA
  • hliðargjald (qg) (max) @ vgs
    42 nC @ 15 V
  • vgs (hámark)
    ±30V
  • inntaksrýmd (ciss) (max) @ vds
    1300 pF @ 100 V
  • fet lögun
    -
  • aflnotkun (hámark)
    72W (Tc)
  • Vinnuhitastig
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • uppsetningargerð
    Through Hole
  • birgir tæki pakki
    TO-220FM
  • pakki / hulstur
    TO-220-3 Full Pack

R6018JNXC7G Óska eftir tilvitnun

Á lager 7443
Magn:
Einingarverð (viðmiðunarverð):
4.62000
Ásett verð:
Samtals:4.62000