Tæknilýsing

• röð
  -
• pakka
  Tube
• stöðu hluta
  Active
• fet gerð
  N-Channel
• tækni
  MOSFET (Metal Oxide)
• tæma til uppspretta spennu (vdss)
  600 V
• straumur - samfellt frárennsli (id) @ 25°c
  50A (Tc)
• drifspenna (hámark rds á, lágmark rds á)
  15V
• rds á (max) @ id, vgs
  83mOhm @ 25A, 15V
• vgs(th) (max) @ id
  7V @ 5mA
• hliðargjald (qg) (max) @ vgs
  120 nC @ 15 V
• vgs (hámark)
  ±30V
• inntaksrýmd (ciss) (max) @ vds
  4500 pF @ 100 V
• fet lögun
  -
• aflnotkun (hámark)
  120W (Tc)
• Vinnuhitastig
  150°C (TJ)
• uppsetningargerð
  Through Hole
• birgir tæki pakki
  TO-3PF
• pakki / hulstur
  TO-3P-3 Full Pack