TK17A80W,S4X

TK17A80W,S4X

Framleiðandi

Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation

Vöruflokkur

smári - fets, mosfets - stakir

Lýsing

MOSFET N-CH 800V 17A TO220SIS

Tæknilýsing

  • röð
    DTMOSIV
  • pakka
    Tube
  • stöðu hluta
    Active
  • fet gerð
    N-Channel
  • tækni
    MOSFET (Metal Oxide)
  • tæma til uppspretta spennu (vdss)
    800 V
  • straumur - samfellt frárennsli (id) @ 25°c
    17A (Ta)
  • drifspenna (hámark rds á, lágmark rds á)
    10V
  • rds á (max) @ id, vgs
    290mOhm @ 8.5A, 10V
  • vgs(th) (max) @ id
    4V @ 850µA
  • hliðargjald (qg) (max) @ vgs
    32 nC @ 10 V
  • vgs (hámark)
    ±20V
  • inntaksrýmd (ciss) (max) @ vds
    2050 pF @ 300 V
  • fet lögun
    -
  • aflnotkun (hámark)
    45W (Tc)
  • Vinnuhitastig
    150°C
  • uppsetningargerð
    Through Hole
  • birgir tæki pakki
    TO-220SIS
  • pakki / hulstur
    TO-220-3 Full Pack

TK17A80W,S4X Óska eftir tilvitnun

Á lager 8431
Magn:
Einingarverð (viðmiðunarverð):
4.02000
Ásett verð:
Samtals:4.02000

Gagnablað