SI2308BDS-T1-GE3

SI2308BDS-T1-GE3

Framleiðandi

Vishay / Siliconix

Vöruflokkur

smári - fets, mosfets - stakir

Lýsing

MOSFET N-CH 60V 2.3A SOT23-3

Tæknilýsing

  • röð
    TrenchFET®
  • pakka
    Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
  • stöðu hluta
    Active
  • fet gerð
    N-Channel
  • tækni
    MOSFET (Metal Oxide)
  • tæma til uppspretta spennu (vdss)
    60 V
  • straumur - samfellt frárennsli (id) @ 25°c
    2.3A (Tc)
  • drifspenna (hámark rds á, lágmark rds á)
    4.5V, 10V
  • rds á (max) @ id, vgs
    156mOhm @ 1.9A, 10V
  • vgs(th) (max) @ id
    3V @ 250µA
  • hliðargjald (qg) (max) @ vgs
    6.8 nC @ 10 V
  • vgs (hámark)
    ±20V
  • inntaksrýmd (ciss) (max) @ vds
    190 pF @ 30 V
  • fet lögun
    -
  • aflnotkun (hámark)
    1.09W (Ta), 1.66W (Tc)
  • Vinnuhitastig
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • uppsetningargerð
    Surface Mount
  • birgir tæki pakki
    SOT-23-3 (TO-236)
  • pakki / hulstur
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

SI2308BDS-T1-GE3 Óska eftir tilvitnun

Á lager 36029
Magn:
Einingarverð (viðmiðunarverð):
0.57000
Ásett verð:
Samtals:0.57000

Gagnablað