SISS80DN-T1-GE3

SISS80DN-T1-GE3

Framleiðandi

Vishay / Siliconix

Vöruflokkur

smári - fets, mosfets - stakir

Lýsing

MOSFET N-CH 20V 58.3A/210A PPAK

RFQ tölvupóstur: [email protected] or Fyrirspurnir á netinu

Tæknilýsing

  • röð
    TrenchFET® Gen IV
  • pakka
    Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
  • stöðu hluta
    Active
  • fet gerð
    N-Channel
  • tækni
    MOSFET (Metal Oxide)
  • tæma til uppspretta spennu (vdss)
    20 V
  • straumur - samfellt frárennsli (id) @ 25°c
    58.3A (Ta), 210A (Tc)
  • drifspenna (hámark rds á, lágmark rds á)
    2.5V, 10V
  • rds á (max) @ id, vgs
    0.92mOhm @ 10A, 10V
  • vgs(th) (max) @ id
    1.5V @ 250µA
  • hliðargjald (qg) (max) @ vgs
    122 nC @ 10 V
  • vgs (hámark)
    +12V, -8V
  • inntaksrýmd (ciss) (max) @ vds
    6450 pF @ 10 V
  • fet lögun
    -
  • aflnotkun (hámark)
    5W (Ta), 65W (Tc)
  • Vinnuhitastig
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • uppsetningargerð
    Surface Mount
  • birgir tæki pakki
    PowerPAK® 1212-8S
  • pakki / hulstur
    PowerPAK® 1212-8S

SISS80DN-T1-GE3 Óska eftir tilvitnun

Á lager 12351
Magn:
Einingarverð (viðmiðunarverð):
1.75000
Ásett verð:
Samtals:1.75000