SQJ457EP-T1_GE3

SQJ457EP-T1_GE3

Framleiðandi

Vishay / Siliconix

Vöruflokkur

smári - fets, mosfets - stakir

Lýsing

MOSFET P-CH 60V 36A PPAK SO-8

Tæknilýsing

  • röð
    Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
  • pakka
    Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
  • stöðu hluta
    Active
  • fet gerð
    P-Channel
  • tækni
    MOSFET (Metal Oxide)
  • tæma til uppspretta spennu (vdss)
    60 V
  • straumur - samfellt frárennsli (id) @ 25°c
    36A (Tc)
  • drifspenna (hámark rds á, lágmark rds á)
    4.5V, 10V
  • rds á (max) @ id, vgs
    25mOhm @ 10A, 10V
  • vgs(th) (max) @ id
    2.5V @ 250µA
  • hliðargjald (qg) (max) @ vgs
    100 nC @ 10 V
  • vgs (hámark)
    ±20V
  • inntaksrýmd (ciss) (max) @ vds
    3400 pF @ 25 V
  • fet lögun
    -
  • aflnotkun (hámark)
    68W (Tc)
  • Vinnuhitastig
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • uppsetningargerð
    Surface Mount
  • birgir tæki pakki
    PowerPAK® SO-8
  • pakki / hulstur
    PowerPAK® SO-8

SQJ457EP-T1_GE3 Óska eftir tilvitnun

Á lager 22118
Magn:
Einingarverð (viðmiðunarverð):
0.94000
Ásett verð:
Samtals:0.94000

Gagnablað