BSG0813NDIATMA1

BSG0813NDIATMA1

Framleiðandi

IR (Infineon Technologies)

Vöruflokkur

smári - fets, mosfets - fylki

Lýsing

MOSFET 2N-CH 25V 19A/33A TISON8

RFQ tölvupóstur: [email protected] or Fyrirspurnir á netinu

Tæknilýsing

  • röð
    -
  • pakka
    Tape & Reel (TR)
  • stöðu hluta
    Active
  • fet gerð
    2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
  • fet lögun
    Logic Level Gate, 4.5V Drive
  • tæma til uppspretta spennu (vdss)
    25V
  • straumur - samfellt frárennsli (id) @ 25°c
    19A, 33A
  • rds á (max) @ id, vgs
    3mOhm @ 20A, 10V
  • vgs(th) (max) @ id
    2V @ 250µA
  • hliðargjald (qg) (max) @ vgs
    8.4nC @ 4.5V
  • inntaksrýmd (ciss) (max) @ vds
    1100pF @ 12V
  • afl - hámark
    2.5W
  • Vinnuhitastig
    -55°C ~ 155°C (TJ)
  • uppsetningargerð
    Surface Mount
  • pakki / hulstur
    8-PowerTDFN
  • birgir tæki pakki
    PG-TISON-8

BSG0813NDIATMA1 Óska eftir tilvitnun

Á lager 17004
Magn:
Einingarverð (viðmiðunarverð):
1.24740
Ásett verð:
Samtals:1.24740

Gagnablað

Sækja