IPG20N10S4L35AATMA1

IPG20N10S4L35AATMA1

Framleiðandi

IR (Infineon Technologies)

Vöruflokkur

smári - fets, mosfets - fylki

Lýsing

MOSFET 2N-CH 100V 20A 8TDSON

RFQ tölvupóstur: [email protected] or Fyrirspurnir á netinu

Tæknilýsing

  • röð
    Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
  • pakka
    Tape & Reel (TR)
  • stöðu hluta
    Active
  • fet gerð
    2 N-Channel (Dual)
  • fet lögun
    Logic Level Gate
  • tæma til uppspretta spennu (vdss)
    100V
  • straumur - samfellt frárennsli (id) @ 25°c
    20A
  • rds á (max) @ id, vgs
    35mOhm @ 17A, 10V
  • vgs(th) (max) @ id
    2.1V @ 16µA
  • hliðargjald (qg) (max) @ vgs
    17.4nC @ 10V
  • inntaksrýmd (ciss) (max) @ vds
    1105pF @ 25V
  • afl - hámark
    43W
  • Vinnuhitastig
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • uppsetningargerð
    Surface Mount, Wettable Flank
  • pakki / hulstur
    8-PowerVDFN
  • birgir tæki pakki
    PG-TDSON-8-10

IPG20N10S4L35AATMA1 Óska eftir tilvitnun

Á lager 30719
Magn:
Einingarverð (viðmiðunarverð):
0.66868
Ásett verð:
Samtals:0.66868

Gagnablað

Sækja