Tæknilýsing

• röð
  CoolMOS™
• pakka
  Tube
• stöðu hluta
  Active
• fet gerð
  N-Channel
• tækni
  MOSFET (Metal Oxide)
• tæma til uppspretta spennu (vdss)
  800 V
• straumur - samfellt frárennsli (id) @ 25°c
  4A (Tc)
• drifspenna (hámark rds á, lágmark rds á)
  10V
• rds á (max) @ id, vgs
  1.4Ohm @ 1.4A, 10V
• vgs(th) (max) @ id
  3.5V @ 700µA
• hliðargjald (qg) (max) @ vgs
  10.05 nC @ 10 V
• vgs (hámark)
  ±20V
• inntaksrýmd (ciss) (max) @ vds
  250 pF @ 500 V
• fet lögun
  Super Junction
• aflnotkun (hámark)
  32W (Tc)
• Vinnuhitastig
  -55°C ~ 150°C (TJ)
• uppsetningargerð
  Through Hole
• birgir tæki pakki
  PG-TO251-3
• pakki / hulstur
  TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA