Tæknilýsing

• röð
  HEXFET®
• pakka
  Tube
• stöðu hluta
  Active
• fet gerð
  N-Channel
• tækni
  MOSFET (Metal Oxide)
• tæma til uppspretta spennu (vdss)
  100 V
• straumur - samfellt frárennsli (id) @ 25°c
  55A (Tc)
• drifspenna (hámark rds á, lágmark rds á)
  4V, 10V
• rds á (max) @ id, vgs
  26mOhm @ 29A, 10V
• vgs(th) (max) @ id
  2V @ 250µA
• hliðargjald (qg) (max) @ vgs
  140 nC @ 5 V
• vgs (hámark)
  ±16V
• inntaksrýmd (ciss) (max) @ vds
  3700 pF @ 25 V
• fet lögun
  -
• aflnotkun (hámark)
  200W (Tc)
• Vinnuhitastig
  -55°C ~ 175°C (TJ)
• uppsetningargerð
  Through Hole
• birgir tæki pakki
  TO-220AB
• pakki / hulstur
  TO-220-3