Tæknilýsing

• röð
  -
• pakka
  Tray
• stöðu hluta
  Obsolete
• fet gerð
  N-Channel
• tækni
  MOSFET (Metal Oxide)
• tæma til uppspretta spennu (vdss)
  600 V
• straumur - samfellt frárennsli (id) @ 25°c
  17A (Ta)
• drifspenna (hámark rds á, lágmark rds á)
  10V
• rds á (max) @ id, vgs
  610mOhm @ 7A, 10V
• vgs(th) (max) @ id
  -
• hliðargjald (qg) (max) @ vgs
  46 nC @ 10 V
• vgs (hámark)
  ±30V
• inntaksrýmd (ciss) (max) @ vds
  1200 pF @ 30 V
• fet lögun
  -
• aflnotkun (hámark)
  2.5W (Ta), 170W (Tc)
• Vinnuhitastig
  150°C (TJ)
• uppsetningargerð
  Through Hole
• birgir tæki pakki
  TO-3PB
• pakki / hulstur
  TO-3P-3, SC-65-3