Tæknilýsing

• röð
  SIPMOS®
• pakka
  Bulk
• stöðu hluta
  Obsolete
• fet gerð
  P-Channel
• tækni
  MOSFET (Metal Oxide)
• tæma til uppspretta spennu (vdss)
  60 V
• straumur - samfellt frárennsli (id) @ 25°c
  1.9A (Ta)
• drifspenna (hámark rds á, lágmark rds á)
  10V
• rds á (max) @ id, vgs
  300mOhm @ 1.9A, 10V
• vgs(th) (max) @ id
  4V @ 250µA
• hliðargjald (qg) (max) @ vgs
  14 nC @ 10 V
• vgs (hámark)
  ±20V
• inntaksrýmd (ciss) (max) @ vds
  410 pF @ 25 V
• fet lögun
  -
• aflnotkun (hámark)
  1.8W (Ta)
• Vinnuhitastig
  -55°C ~ 150°C (TJ)
• uppsetningargerð
  Surface Mount
• birgir tæki pakki
  PG-SOT223-4
• pakki / hulstur
  TO-261-4, TO-261AA