Tæknilýsing

• röð
  -
• pakka
  Bulk
• stöðu hluta
  Active
• fet gerð
  N-Channel
• tækni
  MOSFET (Metal Oxide)
• tæma til uppspretta spennu (vdss)
  30 V
• straumur - samfellt frárennsli (id) @ 25°c
  6.3A (Ta)
• drifspenna (hámark rds á, lágmark rds á)
  -
• rds á (max) @ id, vgs
  31mOhm @ 3A, 10V
• vgs(th) (max) @ id
  2.5V @ 1mA
• hliðargjald (qg) (max) @ vgs
  -
• vgs (hámark)
  ±20V
• inntaksrýmd (ciss) (max) @ vds
  620 pF @ 10 V
• fet lögun
  -
• aflnotkun (hámark)
  1.05W (Ta)
• Vinnuhitastig
  150°C
• uppsetningargerð
  Surface Mount
• birgir tæki pakki
  6-TSOP
• pakki / hulstur
  SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6