Tæknilýsing

• röð
  HEXFET®
• pakka
  Bulk
• stöðu hluta
  Active
• fet gerð
  N-Channel
• tækni
  MOSFET (Metal Oxide)
• tæma til uppspretta spennu (vdss)
  20 V
• straumur - samfellt frárennsli (id) @ 25°c
  6.8A (Ta)
• drifspenna (hámark rds á, lágmark rds á)
  2.7V, 4.5V
• rds á (max) @ id, vgs
  35mOhm @ 4.1A, 4.5V
• vgs(th) (max) @ id
  700mV @ 250µA
• hliðargjald (qg) (max) @ vgs
  22 nC @ 4.5 V
• vgs (hámark)
  ±12V
• inntaksrýmd (ciss) (max) @ vds
  650 pF @ 15 V
• fet lögun
  -
• aflnotkun (hámark)
  2.5W (Ta)
• Vinnuhitastig
  -55°C ~ 150°C (TJ)
• uppsetningargerð
  Surface Mount
• birgir tæki pakki
  8-SO
• pakki / hulstur
  8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)