-
-
Lágt verð í gegnum Factory-Direct
Vinna beint með raftækjaverksmiðjunni til að skera út milliliðinn. Nýtt upprunalegt með lágu og afslætti verði
-
Öruggur og gæðaáreiðanleiki
Gæðatryggingakerfi fyrir frábær vörugæði. Á réttum tíma, í hvert skipti, útvegun gæðaíhluta.
-
Yfir 15 milljónir birgða
100+ frægasti alþjóðlegur framleiðandi, yfir 15 milljónir birgða. Birgðir í boði sem styðja að kaupa beint með afsláttarverði.
-
Viðskiptavinavæn þjónusta
Einstaklingslausn sérsniðin að þínum einstöku þörfum. Stuðningur á vefsíðu á 12 tungumálum, meiri þægindi og hröð þjónusta.
IRS26302DJTRPBF
Framleiðandi
Vöruflokkur
Lýsing
HALF BRIDGE BASED IGBT/MOSFET DR
RFQ tölvupóstur: [email protected] or Fyrirspurnir á netinu
Tæknilýsing
-
röð-
-
pakkaBulk
-
stöðu hlutaActive
-
ekið stillinguHalf-Bridge
-
tegund rásar3-Phase
-
fjölda ökumanna6
-
gerð hliðsIGBT, N-Channel MOSFET
-
spenna - framboð10V ~ 20V
-
rökspenna - vil, vih0.8V, 2.5V
-
straumur - hámarksútgangur (uppspretta, vaskur)200mA, 350mA
-
inntakstegundNon-Inverting
-
há hliðarspenna - hámark (bootstrap)600 V
-
hækkun / fall tími (týp)125ns, 50ns
-
Vinnuhitastig-40°C ~ 125°C (TA)
-
uppsetningargerðSurface Mount
-
pakki / hulstur44-LCC (J-Lead), 32 Leads
-
birgir tæki pakki44-PLCC, 32 Leads (16.58x16.58)
