NDD60N360U1-35G

NDD60N360U1-35G

Framleiðandi

Rochester Electronics

Vöruflokkur

smári - fets, mosfets - stakir

Lýsing

MOSFET N-CH 600V 11A IPAK

Tæknilýsing

  • röð
    -
  • pakka
    Tube
  • stöðu hluta
    Obsolete
  • fet gerð
    N-Channel
  • tækni
    MOSFET (Metal Oxide)
  • tæma til uppspretta spennu (vdss)
    600 V
  • straumur - samfellt frárennsli (id) @ 25°c
    11A (Tc)
  • drifspenna (hámark rds á, lágmark rds á)
    10V
  • rds á (max) @ id, vgs
    360mOhm @ 5.5A, 10V
  • vgs(th) (max) @ id
    4V @ 250µA
  • hliðargjald (qg) (max) @ vgs
    26 nC @ 10 V
  • vgs (hámark)
    ±25V
  • inntaksrýmd (ciss) (max) @ vds
    790 pF @ 50 V
  • fet lögun
    -
  • aflnotkun (hámark)
    114W (Tc)
  • Vinnuhitastig
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • uppsetningargerð
    Through Hole
  • birgir tæki pakki
    I-PAK
  • pakki / hulstur
    TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

NDD60N360U1-35G Óska eftir tilvitnun

Á lager 19405
Magn:
Einingarverð (viðmiðunarverð):
1.08000
Ásett verð:
Samtals:1.08000

Gagnablað