Tæknilýsing

• röð
  TrenchMOS™
• pakka
  Bulk
• stöðu hluta
  Active
• fet gerð
  N-Channel
• tækni
  MOSFET (Metal Oxide)
• tæma til uppspretta spennu (vdss)
  30 V
• straumur - samfellt frárennsli (id) @ 25°c
  4.7A (Tc)
• drifspenna (hámark rds á, lágmark rds á)
  -
• rds á (max) @ id, vgs
  55mOhm @ 2A, 10V
• vgs(th) (max) @ id
  2V @ 1mA
• hliðargjald (qg) (max) @ vgs
  9.4 nC @ 10 V
• vgs (hámark)
  ±20V
• inntaksrýmd (ciss) (max) @ vds
  350 pF @ 30 V
• fet lögun
  -
• aflnotkun (hámark)
  2W (Tc)
• Vinnuhitastig
  -55°C ~ 150°C (TJ)
• uppsetningargerð
  Surface Mount
• birgir tæki pakki
  TO-236AB
• pakki / hulstur
  TO-236-3, SC-59, SOT-23-3