Tæknilýsing

• röð
  -
• pakka
  Bulk
• stöðu hluta
  Active
• fet gerð
  N-Channel
• tækni
  MOSFET (Metal Oxide)
• tæma til uppspretta spennu (vdss)
  500 V
• straumur - samfellt frárennsli (id) @ 25°c
  2A (Ta)
• drifspenna (hámark rds á, lágmark rds á)
  4V, 10V
• rds á (max) @ id, vgs
  4.9Ohm @ 1A, 10V
• vgs(th) (max) @ id
  -
• hliðargjald (qg) (max) @ vgs
  8.7 nC @ 10 V
• vgs (hámark)
  ±20V
• inntaksrýmd (ciss) (max) @ vds
  175 pF @ 30 V
• fet lögun
  -
• aflnotkun (hámark)
  1W (Ta), 20W (Tc)
• Vinnuhitastig
  150°C (TJ)
• uppsetningargerð
  Through Hole
• birgir tæki pakki
  TP
• pakki / hulstur
  TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA