SPP21N10

SPP21N10

Framleiðandi

Rochester Electronics

Vöruflokkur

smári - fets, mosfets - stakir

Lýsing

MOSFET N-CH 100V 21A TO220-3

Tæknilýsing

  • röð
    SIPMOS®
  • pakka
    Tube
  • stöðu hluta
    Obsolete
  • fet gerð
    N-Channel
  • tækni
    MOSFET (Metal Oxide)
  • tæma til uppspretta spennu (vdss)
    100 V
  • straumur - samfellt frárennsli (id) @ 25°c
    21A (Tc)
  • drifspenna (hámark rds á, lágmark rds á)
    10V
  • rds á (max) @ id, vgs
    80mOhm @ 15A, 10V
  • vgs(th) (max) @ id
    4V @ 44µA
  • hliðargjald (qg) (max) @ vgs
    38.4 nC @ 10 V
  • vgs (hámark)
    ±20V
  • inntaksrýmd (ciss) (max) @ vds
    865 pF @ 25 V
  • fet lögun
    -
  • aflnotkun (hámark)
    90W (Tc)
  • Vinnuhitastig
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • uppsetningargerð
    Through Hole
  • birgir tæki pakki
    PG-TO220-3-1
  • pakki / hulstur
    TO-220-3

SPP21N10 Óska eftir tilvitnun

Á lager 33601
Magn:
Einingarverð (viðmiðunarverð):
0.61000
Ásett verð:
Samtals:0.61000

Gagnablað