Tæknilýsing

• röð
  -
• pakka
  Tray
• stöðu hluta
  Active
• fet gerð
  2 N-Channel (Half Bridge)
• fet lögun
  Silicon Carbide (SiC)
• tæma til uppspretta spennu (vdss)
  1200V (1.2kV)
• straumur - samfellt frárennsli (id) @ 25°c
  300A (Tc)
• rds á (max) @ id, vgs
  -
• vgs(th) (max) @ id
  4V @ 68mA
• hliðargjald (qg) (max) @ vgs
  -
• inntaksrýmd (ciss) (max) @ vds
  35000pF @ 10V
• afl - hámark
  1875W
• Vinnuhitastig
  -40°C ~ 150°C (TJ)
• uppsetningargerð
  Chassis Mount
• pakki / hulstur
  Module
• birgir tæki pakki
  Module