Tæknilýsing

• röð
  -
• pakka
  Tray
• stöðu hluta
  Active
• fet gerð
  N-Channel
• tækni
  SiCFET (Silicon Carbide)
• tæma til uppspretta spennu (vdss)
  1200 V
• straumur - samfellt frárennsli (id) @ 25°c
  400A (Tc)
• drifspenna (hámark rds á, lágmark rds á)
  -
• rds á (max) @ id, vgs
  -
• vgs(th) (max) @ id
  5.6V @ 106.8mA
• hliðargjald (qg) (max) @ vgs
  -
• vgs (hámark)
  +22V, -4V
• inntaksrýmd (ciss) (max) @ vds
  17000 pF @ 10 V
• fet lögun
  -
• aflnotkun (hámark)
  1570W (Tc)
• Vinnuhitastig
  175°C (TJ)
• uppsetningargerð
  Chassis Mount
• birgir tæki pakki
  Module
• pakki / hulstur
  Module