Tæknilýsing

• röð
  -
• pakka
  Tube
• stöðu hluta
  Active
• fet gerð
  N-Channel
• tækni
  SiCFET (Silicon Carbide)
• tæma til uppspretta spennu (vdss)
  650 V
• straumur - samfellt frárennsli (id) @ 25°c
  39A (Tc)
• drifspenna (hámark rds á, lágmark rds á)
  18V
• rds á (max) @ id, vgs
  78mOhm @ 13A, 18V
• vgs(th) (max) @ id
  5.6V @ 6.67mA
• hliðargjald (qg) (max) @ vgs
  58 nC @ 18 V
• vgs (hámark)
  +22V, -4V
• inntaksrýmd (ciss) (max) @ vds
  852 pF @ 500 V
• fet lögun
  -
• aflnotkun (hámark)
  165W (Tc)
• Vinnuhitastig
  175°C (TJ)
• uppsetningargerð
  Through Hole
• birgir tæki pakki
  TO-247N
• pakki / hulstur
  TO-247-3