Tæknilýsing

• röð
  -
• pakka
  Tube
• stöðu hluta
  Active
• fet gerð
  N-Channel
• tækni
  SiCFET (Silicon Carbide)
• tæma til uppspretta spennu (vdss)
  650 V
• straumur - samfellt frárennsli (id) @ 25°c
  45A (Tc)
• drifspenna (hámark rds á, lágmark rds á)
  18V, 20V
• rds á (max) @ id, vgs
  72mOhm @ 20A, 20V
• vgs(th) (max) @ id
  3.2V @ 1mA
• hliðargjald (qg) (max) @ vgs
  73 nC @ 20 V
• vgs (hámark)
  +20V, -5V
• inntaksrýmd (ciss) (max) @ vds
  73000 pF @ 400 V
• fet lögun
  -
• aflnotkun (hámark)
  208W (Tc)
• Vinnuhitastig
  -55°C ~ 175°C (TJ)
• uppsetningargerð
  Through Hole
• birgir tæki pakki
  TO-247 Long Leads
• pakki / hulstur
  TO-247-3