-
-
Lágt verð í gegnum Factory-Direct
Vinna beint með raftækjaverksmiðjunni til að skera út milliliðinn. Nýtt upprunalegt með lágu og afslætti verði
-
Öruggur og gæðaáreiðanleiki
Gæðatryggingakerfi fyrir frábær vörugæði. Á réttum tíma, í hvert skipti, útvegun gæðaíhluta.
-
Yfir 15 milljónir birgða
100+ frægasti alþjóðlegur framleiðandi, yfir 15 milljónir birgða. Birgðir í boði sem styðja að kaupa beint með afsláttarverði.
-
Viðskiptavinavæn þjónusta
Einstaklingslausn sérsniðin að þínum einstöku þörfum. Stuðningur á vefsíðu á 12 tungumálum, meiri þægindi og hröð þjónusta.
SI5513CDC-T1-GE3
Framleiðandi
Vöruflokkur
Lýsing
MOSFET N/P-CH 20V 4A 1206-8
RFQ tölvupóstur: [email protected] or Fyrirspurnir á netinu
Tæknilýsing
-
röðTrenchFET®
-
pakkaTape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
-
stöðu hlutaActive
-
fet gerðN and P-Channel
-
fet lögunLogic Level Gate
-
tæma til uppspretta spennu (vdss)20V
-
straumur - samfellt frárennsli (id) @ 25°c4A, 3.7A
-
rds á (max) @ id, vgs55mOhm @ 4.4A, 4.5V
-
vgs(th) (max) @ id1.5V @ 250µA
-
hliðargjald (qg) (max) @ vgs4.2nC @ 5V
-
inntaksrýmd (ciss) (max) @ vds285pF @ 10V
-
afl - hámark3.1W
-
Vinnuhitastig-55°C ~ 150°C (TJ)
-
uppsetningargerðSurface Mount
-
pakki / hulstur8-SMD, Flat Lead
-
birgir tæki pakki1206-8 ChipFET™
