-
-
Lágt verð í gegnum Factory-Direct
Vinna beint með raftækjaverksmiðjunni til að skera út milliliðinn. Nýtt upprunalegt með lágu og afslætti verði
-
Öruggur og gæðaáreiðanleiki
Gæðatryggingakerfi fyrir frábær vörugæði. Á réttum tíma, í hvert skipti, útvegun gæðaíhluta.
-
Yfir 15 milljónir birgða
100+ frægasti alþjóðlegur framleiðandi, yfir 15 milljónir birgða. Birgðir í boði sem styðja að kaupa beint með afsláttarverði.
-
Viðskiptavinavæn þjónusta
Einstaklingslausn sérsniðin að þínum einstöku þörfum. Stuðningur á vefsíðu á 12 tungumálum, meiri þægindi og hröð þjónusta.
SI7980DP-T1-GE3
Framleiðandi
Vöruflokkur
Lýsing
MOSFET 2N-CH 20V 8A PPAK SO-8
RFQ tölvupóstur: [email protected] or Fyrirspurnir á netinu
Tæknilýsing
-
röðTrenchFET®
-
pakkaTape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
-
stöðu hlutaObsolete
-
fet gerð2 N-Channel (Half Bridge)
-
fet lögunStandard
-
tæma til uppspretta spennu (vdss)20V
-
straumur - samfellt frárennsli (id) @ 25°c8A
-
rds á (max) @ id, vgs22mOhm @ 5A, 10V
-
vgs(th) (max) @ id2.5V @ 250µA
-
hliðargjald (qg) (max) @ vgs27nC @ 10V
-
inntaksrýmd (ciss) (max) @ vds1010pF @ 10V
-
afl - hámark19.8W, 21.9W
-
Vinnuhitastig-55°C ~ 150°C (TJ)
-
uppsetningargerðSurface Mount
-
pakki / hulsturPowerPAK® SO-8 Dual
-
birgir tæki pakkiPowerPAK® SO-8 Dual
