Tæknilýsing

• röð
  C2M™
• pakka
  Tube
• stöðu hluta
  Not For New Designs
• fet gerð
  N-Channel
• tækni
  SiCFET (Silicon Carbide)
• tæma til uppspretta spennu (vdss)
  1700 V
• straumur - samfellt frárennsli (id) @ 25°c
  72A (Tc)
• drifspenna (hámark rds á, lágmark rds á)
  20V
• rds á (max) @ id, vgs
  59mOhm @ 50A, 20V
• vgs(th) (max) @ id
  4V @ 18mA
• hliðargjald (qg) (max) @ vgs
  188 nC @ 20 V
• vgs (hámark)
  +25V, -10V
• inntaksrýmd (ciss) (max) @ vds
  3672 pF @ 1000 V
• fet lögun
  -
• aflnotkun (hámark)
  520W (Tc)
• Vinnuhitastig
  -40°C ~ 150°C (TJ)
• uppsetningargerð
  Through Hole
• birgir tæki pakki
  TO-247-4
• pakki / hulstur
  TO-247-4