Tæknilýsing

• röð
  C3M™
• pakka
  Tube
• stöðu hluta
  Active
• fet gerð
  N-Channel
• tækni
  SiCFET (Silicon Carbide)
• tæma til uppspretta spennu (vdss)
  1200 V
• straumur - samfellt frárennsli (id) @ 25°c
  100A (Tc)
• drifspenna (hámark rds á, lágmark rds á)
  15V
• rds á (max) @ id, vgs
  28.8mOhm @ 50A, 15V
• vgs(th) (max) @ id
  3.6V @ 17.7mA
• hliðargjald (qg) (max) @ vgs
  162 nC @ 15 V
• vgs (hámark)
  +15V, -4V
• inntaksrýmd (ciss) (max) @ vds
  4818 pF @ 1000 V
• fet lögun
  -
• aflnotkun (hámark)
  469W (Tc)
• Vinnuhitastig
  -40°C ~ 175°C (TJ)
• uppsetningargerð
  Through Hole
• birgir tæki pakki
  TO-247-4L
• pakki / hulstur
  TO-247-4