Tæknilýsing

• röð
  C3M™
• pakka
  Tube
• stöðu hluta
  Active
• fet gerð
  N-Channel
• tækni
  SiCFET (Silicon Carbide)
• tæma til uppspretta spennu (vdss)
  650 V
• straumur - samfellt frárennsli (id) @ 25°c
  97A (Tc)
• drifspenna (hámark rds á, lágmark rds á)
  15V
• rds á (max) @ id, vgs
  34mOhm @ 33.5A, 15V
• vgs(th) (max) @ id
  3.6V @ 9.22mA
• hliðargjald (qg) (max) @ vgs
  108 nC @ 15 V
• vgs (hámark)
  +19V, -8V
• inntaksrýmd (ciss) (max) @ vds
  2980 pF @ 600 V
• fet lögun
  -
• aflnotkun (hámark)
  326W (Tc)
• Vinnuhitastig
  -40°C ~ 175°C (TJ)
• uppsetningargerð
  Through Hole
• birgir tæki pakki
  TO-247-3
• pakki / hulstur
  TO-247-3