Tæknilýsing

• röð
  C3M™
• pakka
  Tube
• stöðu hluta
  Active
• fet gerð
  N-Channel
• tækni
  SiCFET (Silicon Carbide)
• tæma til uppspretta spennu (vdss)
  1200 V
• straumur - samfellt frárennsli (id) @ 25°c
  7.2A (Tc)
• drifspenna (hámark rds á, lágmark rds á)
  15V
• rds á (max) @ id, vgs
  455mOhm @ 3.6A, 15V
• vgs(th) (max) @ id
  3.6V @ 1mA
• hliðargjald (qg) (max) @ vgs
  13 nC @ 15 V
• vgs (hámark)
  +15V, -4V
• inntaksrýmd (ciss) (max) @ vds
  345 pF @ 1000 V
• fet lögun
  -
• aflnotkun (hámark)
  40.8W (Tc)
• Vinnuhitastig
  -55°C ~ 150°C (TJ)
• uppsetningargerð
  Surface Mount
• birgir tæki pakki
  TO-263-7
• pakki / hulstur
  TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA